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ファイバーラボ株式会社

■製品名 : MEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチモジュール OE Photonics

OE photonicsの1xN MEMS光スイッチモジュールは、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術に基づき、1つの入力光とN個の出力光のポート選択を可能にするMEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ素子を小型モジュール化し、組み込み用に供します。種々のインターフェースで制御可能で、OADM、OXC、OPMなどの光ネットワークシステムで広く使用可能です。

■特徴
・コンパクトなサイズ ・高い再現性および安定性 TTL・TTL/RS232・TTL/I2Cによる制御 ・GR-1209およびGR-1221準拠
■用途
光アド/ドロップマルチプレクサ(OADM) ・光クロスコネクト(OXC)システム ・光パワーモニタリング(OPM) ・光ファイバセンシング
■関連製品
MEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ素子 MEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ回路基板 MEMS 1xN (64≤N≤256)スイッチモジュール
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■仕様

パラメータ

単位

シングルモード

マルチモード

ポート数 N

CH

2

4

8

12

16

24

32

48

64

2

4

8

12

動作波長

nm

1310 ± 30
or 1550 ± 30 or 1625 ± 30

850 ± 30

or 1310 ± 30

挿入損失 (Max)

dB

0.6

0.7

0.8

1.0

1.0

1.2

1.4

1.5

1.6

0.6

0.7

0.8

1.0

反射減衰量

dB

≥ 50

≥ 30

再現性(repeatability)

dB

≤ 0.03

≤ 0.05

≤ 0.03

クロストーク

dB

≥ 50

≥ 45

≥ 30

偏光依存損失(PDL)

dB

≤ 0.15

波長依存損失

dB

≤ 0.3 @ 中心波長 ± 30 nm, 23

温度依存損失

dB

≤ 0.3

動作温度

 -5 ~ 70

保管温度

-40 ~ 85

スイッチング時間

ms

≤ 5

耐久性(durability)

Cycle

≥ 1×109

動作電圧

V

5 ~ 12 V

最大使用光パワー

mW

≤ 500

制御インターフェース

TTL or TTL/RS232 or TTL/I2C

注記:

  1. 損失は中心波長 ± 20nm, 23 ℃における評価結果です。多波長の場合はこれに0.2dB加算されます
  2. 再現性は100サイクル動作後の評価結果です。
  3. 損失はコネクタ損を除きます。コネクタを含む場合はこれに0.2dB加算されます

■パッケージ

■スイッチモジュール図面

ファイバジャケット 250 mmf ファイバ素線 900 mmf ルースチューブ
1×2/1×4/1×8 スイッチ
1xN (8<N≦64) スイッチ

 

■注文方法

OE-Module-1×N-A-B-C-D-E-F

N

A

B

C

D

E

F

出力ポート数

テスト波長

ファイバ種類

ジャケット

ファイバ長

コネクタ

制御インターフェース

2

4

8

12

16

24

32

48

64

850:850nm

1310:1310nm

1550:1550nm

1315:1310&1550nm

X: その他

G657A1

G657A2

OM1 62.5/125

OM2 50/125

その他

25:250mm

90:900mm

その他

05:0.5m±5cm

10:1.0m±5cm

15:1.5m±5cm

その他

OO:None

FP:FC/UPC

FA:FC/APC

SP:SC/UPC

SA:SC/APC

LP:LC/UPC

LA:LC/APC

その他

TTL

TTL/RS232

TTL/ I2C

 

注:

  1. 上記仕様は製品の典型値を示したものです。
  2. 上記以外のご要望の仕様については、お気兼ねなく弊社営業にお問い合わせいただければと存じます。