■製品名 光強度変調器用バイアス制御器(BCB-4)
■製品名 光強度変調器用バイアス制御器(BCB-4)
BCB-4は、高速光通信で用いられるLiNbO
3ベースの
光強度変調器のDCドリフトを抑圧して安定に動作させるためのバイアス制御回路です。光強度変調器は、LiNbO
3基板上に設けた導波路型マッハ・ツェンダー干渉計で構成されます。本制御器は、低周波、低振幅のディザ信号を直流バイアス電圧とともに変調器のバイアス電極に印加します。制御器に搭載したPD(フォトダイオード)より光出力をモニタし、ドリフトを相殺する電圧を変調器の直流電極にフィードバックします。これらはすべてデジタル信号処理に基づき様々な動作環境において安定した動作性能を実現します。動作点はQ+, Q-, Min., Max., マニュアルの5モードから選択可能です。
| ■特徴
・5モードの動作点(Q+, Q-, Min., Max., マニュアル)に対応
・InGaAsベースPD (1000-1610 nm)またはSiベースPD (500-1000 nm)を搭載
・RS-485制御
・単一+5V DC電源
・完全デジタル制御による高い安定性
■用途
・RF/IF信号分配
・RoF伝送
・衛星通信
・ピコ秒パルス発生
・パルスピッキング/ゲーティング |
製品データシート
 |
光変調器バイアス制御ボード 製品一覧
■仕様
| 変調器タイプ |
マッハ・ツェンダー干渉計 |
| バイアス制御方式 |
小信号ディザリング&位相同期ループ |
| ディザ周波数 |
1 kHz |
| ディザ振幅 |
20 ~ 450 mVp-p 可変 |
| モニタ入力光パワー(最大値) |
-20 ~ -10 dBm |
| 変調器印加バイアス電圧 VPI |
1.5 ~ 8 V |
| 出力バイアス電圧範囲 |
± 11 V or ± 15 V |
| バイアス電圧ステップ |
1.3 mV (±11 V オプション) or 1.8 mV (±15 V オプション) |
| 動作温度 |
-10℃ ~ +60℃ |
| 保管温度 |
-60℃ ~ +90℃ |
| 電源 |
+5VDC, 2W max (±11V オプション) or 2.5W max (±15V オプション) |
| 制御インターフェース |
RS-485 |
| アラーム |
LED DC Power status |
| サイズ |
85 mm x 27.5 mm x 17 mm |
■バイアス制御モード
| モード(動作点) |
設定条件 |
変調フォーマット |
| QUAD+ (Q+) |
Set to quadrature point of positive slope |
アナログ, NRZ |
| QUAD- (Q-) |
Set to quadrature point of negative slope |
アナログ, NRZ |
| MIN. |
Set to min. point of modulator curve |
パルス, RZ, BPSK |
| MAX. |
Set to max. point of modulator curve |
パルス, RZ |
| マニュアル |
電圧制御 |
|
■使用構成例
■注文方法
BCB-4-XX-YY
| XX |
YY |
| バイアス電圧範囲オプション |
バイアス制御器搭載PD |
| 11: ± 11V (デフォルト)
15: ± 15V |
00: なし
IG: InGaAs PD (1000~1610 nm、デフォルト)
SI: シリコン Si PD (500~1000 nm) |