開発力・製造力・商社力 三つの力でお客様のご要望にお応えいたします

| 変調器タイプ | マッハ・ツェンダー干渉計 |
| バイアス制御方式 | 小信号ディザリング&位相同期ループ |
| ディザ周波数 | 1 kHz |
| ディザ振幅 | 20 ~ 450 mVp-p 可変 |
| モニタ入力光パワー(最大値) | -20 ~ -10 dBm |
| 変調器印加バイアス電圧 VPI | 1.5 ~ 8 V |
| 出力バイアス電圧範囲 | ± 11 V or ± 15 V |
| バイアス電圧ステップ | 1.3 mV (±11 V オプション) or 1.8 mV (±15 V オプション) |
| 動作温度 | -10℃ ~ +60℃ |
| 保管温度 | -60℃ ~ +90℃ |
| 電源 | +5VDC, 2W max (±11V オプション) or 2.5W max (±15V オプション) |
| 制御インターフェース | RS-485 |
| アラーム | LED DC Power status |
| サイズ | 85 mm x 27.5 mm x 17 mm |
| モード(動作点) | 設定条件 | 変調フォーマット |
| QUAD+ (Q+) | Set to quadrature point of positive slope | アナログ, NRZ |
| QUAD- (Q-) | Set to quadrature point of negative slope | アナログ, NRZ |
| MIN. | Set to min. point of modulator curve | パルス, RZ, BPSK |
| MAX. | Set to max. point of modulator curve | パルス, RZ |
| マニュアル | 電圧制御 |
■注文方法
BCB-4-XX-YY
| XX | YY |
| バイアス電圧範囲オプション | バイアス制御器搭載PD |
| 11: ± 11V (デフォルト) 15: ± 15V | 00: なし IG: InGaAs PD (1000~1610 nm、デフォルト) SI: シリコン Si PD (500~1000 nm) |